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初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪
题目详情
初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向
位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.
为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪些办法
A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1
那A为什么不行?抱歉,没有图,麻烦解释一下A为什么不行
位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.
为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪些办法
A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1
那A为什么不行?抱歉,没有图,麻烦解释一下A为什么不行
▼优质解答
答案和解析
嗯 增大偏转电压的话他的侧向位移会相应增加,而题目中问的是每单位偏转电压引起的位移,也就是电压与位移的比值,电压增大位移也相应增大,比值是不变的.
还是列个式子吧
有一个带电粒子带电量q 质量m 设进入偏转电场速度v（v只于加速电场电压有关）
两极板间电场强度E=U2/d,粒子受电场力U2*q/d,加速度为U2*q/dm,
粒子通过电场时间为L/v,那么最后偏转距离为1/2at²,
就是U2qL²/2dmv²,每单位电压引起的位移就是qL²/2dmv²,U2消去了
灵敏度可以看出与B C D都相关 D的影响体现在v上
还有一个前提是粒子不打在极板上~
能看懂么~希望我讲得够清楚 不懂的话可以再找我
还是列个式子吧
有一个带电粒子带电量q 质量m 设进入偏转电场速度v（v只于加速电场电压有关）
两极板间电场强度E=U2/d,粒子受电场力U2*q/d,加速度为U2*q/dm,
粒子通过电场时间为L/v,那么最后偏转距离为1/2at²,
就是U2qL²/2dmv²,每单位电压引起的位移就是qL²/2dmv²,U2消去了
灵敏度可以看出与B C D都相关 D的影响体现在v上
还有一个前提是粒子不打在极板上~
能看懂么~希望我讲得够清楚 不懂的话可以再找我
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