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PCl3可用于半导体生产的外延、扩散工序．有关物质的部分性质如下：熔点/℃沸点/℃密度/g•mL其他黄磷44.1280.51.822P（过量）+3Cl2△.2PCl32P+5Cl2（过量）△.2PCl5PCl 化学

PCl5 PCl3

PCl3可用于半导体生产的外延、扩散工序。有关物质的部分性质如下：熔点/℃沸点/℃密度/g·mL－1其他黄磷44．1280．51．82 化学

1．82

PCl3可用于半导体生产的外延、扩散工序．有关物质的部分性质如下：熔点/℃沸点/℃℃℃密度/g•cm-3其他黄磷44.1280.51.822P（过量）+3Cl2△.2PCl3；2P+5Cl2（过量）△.2 化学

. 2PCl5 P

PCl3可用于半导体生产的外延、扩散工序．有关物质的部分性质如下熔点/℃沸点/℃℃℃密度/g•cm-3其他黄磷44.1280.51.822P（过量）+3Cl22PCl3；2P+5Cl2（过量）2PCl5PCl3-11275.51.574遇水生成H3PO3和HCl，化学

生成POCl3POCl321

PCl3可用于半导体生产的外延、扩散工序．有关物质的部分性质如下：熔点/℃沸点/℃密度/g•mL-1其他黄磷44.1280.51.822P（过量）+3Cl2△.2PCl3；2P+5Cl2△.2PCl5PCl3-112 化学

Cl5 PCl3 -

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