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如图是一个水平向右的匀强电场，场强大小E=2×102N/C．现让一个电荷量q=-4×10-8C的电荷沿虚线方向从M点移到N点，MN间的距离s=30cm，MN与场强E方向的夹角为θ=60°．试求：（1）该粒子受到的电物理

差UMN为多少？（3）该粒子

在研究光电效应现象中，所作的I-U图象，如图所示．已知阴极材料的截止频率为4.2×1014Hz，普朗克常数h=6.63×10-34J•s，电子电量e=1.6×10-19C．（结果保留两位有效数字）求：①照射光的频率γ 物理

如图所示，一根金属棒长为L，横截面积为S，其材料的电阻率为ρ．已知金属棒内单位体积自由电子数为n，电子的质量为m，电荷量为e．在金属棒两端加上恒定的电压时，金属棒内自由电子定物理

棒内的电场强度大小．

（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

一根长为L，横截面积为S的金属棒，其材料的电阻率为ρ，棒内单位体积自由电子数为n，电子的质量为m，电荷量为e，在棒两端加上恒定的电压U，金属棒内自由电子定向移动的平均速率为（物理

一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向物理

定向移动的速率是______

一导体材料的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子，且单位体积中的自由电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e，沿x方向通有物理

子定向移动的速率是Ineab

一根长为L、横截面积为S的金属棒，其电阻率为ρ．棒内单位体积内的自由电子数为n，电子的电量为e，在棒两端加上恒定电压U时，棒内产生电流，则自由电子定向移动的速率为（）A.Une 物理

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