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芯片是“智能家电”的核心部件，它是以高纯度单质硅为材料制成的。制取高纯硅的化学方程式为：①SiO2+2CSi(粗)+2CO↑②Si(粗)+3HClSiHCl3+H2③SiHCl3+H2Si(纯)+3HCl。下列说法错误
化学
[ ]
制太阳能电池需要高纯硅，工业上用粗硅制高纯硅可通过以下反应实现：Si(粗)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2、②SiHCl3(g)+H2Si(纯)+3HCl(g)对上述两个反应的叙述错误的是A．两个反应互
化学
应 B．都是置换反应
科学家最新研制的利用氯化氢和氢气生产高纯硅的工艺流程如图所示：容器①中进行的反应为Si（粗）+3HCl（g）═SiHCl3（l）+H2（g）；容器②中进行的反应为SiHCl3+H2═Si（纯）+3HCl．下列说法
化学
用B．最好用分液的方法分离S
晶体硅是一种重要的非金属材料，制备纯硅的主要步骤如下：①高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅；②粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3（Si+
3HCl═SiHCl3
+H2）③SiHCl3与过量的H2在1000℃
化学
应，在空气中易自燃．请回答：
工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转
化学
，还伴随着副反应：Si（s）
制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现①Si（s）+3HCl（g）300℃.SiHCl3（g）+H2（g）②SiHCl3+H2950℃.Si+3HCl对上述两个反应的下列叙述中，错误的是（）A．
化学
是置换反应C．工业上制得高纯
晶体硅是一种重要的非金属材料，制备纯硅的主要步骤如下：①高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅，同时得到一种可燃性气态；②粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3（Si+3HCl=SiHCl3+H2）
化学
iHCl3能与水强烈反应，在
由粗硅制高纯Si：①Si+3HCl300℃.SiHCl3+H2Si+3HCl300℃.SiHCl3+H2②SiHCl3+H2950℃.Si+3HClSiHCl3+H2950℃.Si+3HCl．
化学
放热反应的逆反应一定吸热吗?比如：Si+3HCl=SiHCl3(气）+3H2（放热反应）SiHCl3+H2=Si+3HClSiHCl3+H2=Si+3HCl这个反应一定是吸热反映吗?
化学
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