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如图所示，线圈abcd面积为0.06m2，共100匝，线圈电阻为2Ω，外接电阻为R=8Ω，匀强磁场的磁感应强度为B=2πT，线圈以转速2r/s匀速旋转．（1）若从图示位置开始计时，写出线圈中感应电动势的物理

中，外力做多少功．

如图所示，匀强磁场的磁感应强B=2πT，边长L=10cm的正方形线圈abcd的匝数N=100匝，线圈总电阻r=1Ω，线圈绕垂直于磁感线的轴OO1匀速转动，角速度ω=2πrad/s，外电路电阻R=4Ω，电压表为理想电表物理

；（2）电压表的读数U；（3

如图所示，匀强磁场的磁感应强度B=2πT，边长L=10cm的正方形线圈abcd共100匝，线圈电阻r=1Ω，线圈绕垂直于磁感线的轴OO1匀速转动，角速度ω=2πrad/s，外电路电阻R=4Ω．求：（1）转动过程中线其他

示位置（线圈平面与磁感线平行

图a为测量分子速率分布的装置示意图。圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置。从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上S缝后进入狭缝N，在圆筒转其他

附近的银原子速率较大B.到达

图a为测量分子速率分布的装置示意图.圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置.从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N，在圆筒转物理

A. 到达M附近的银原子速

图a为测量分子速率分布的装置示意图.圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置.从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N，在圆筒转物理

A. 到达M附近的银原子速

图a为测量分子速率分布的装置示意图．圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置．从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上的S缝后进入狭缝N，在物理

A．到达M附近的银原

图1－2－18a为测量分子速率分布的装置示意图．圆筒绕其中心匀速转动，侧面开有狭缝N，内侧贴有记录薄膜，M为正对狭缝的位置．从原子炉R中射出的银原子蒸汽穿过屏上S缝后物理

NP 、 PQ 间距相等．

如图有一半径为r=0.2m的圆柱体绕竖直轴OO′以ω=9rad/s的角速度匀速转动，今用力F将质量为1kg的物体A压圆柱侧面，使其以v0=2.4m/s的速度匀速下降，若物体A与圆柱面的摩擦因数μ=0.25，求力F的大物理

起转动）．

一个物体在半径为R的圆周上做匀速圆周运动时在2秒内转了4圈，哪么它的周期为s，它的角速度为rad/s．物理

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