下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRA
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。
对于复数Z1=m（m－1﹚﹢﹙m－﹚i,Z2=﹙m＋1﹚﹢﹙m－1﹚i,﹙m∈R﹚大神们帮帮忙对于 数学 2020-04-26 …
判断命题是正确与否1、α∥β,m∈α则m∥β2,、m∥α,n∈α则m平行n3.α⊥β,m∥α,则m 数学 2020-05-20 …
如图所示,在光滑的桌面上有M、m两个物块,现用力F推物块m,使M、m两物块在桌上一起向右加速,则M 物理 2020-06-12 …
已知等差数列{an}的公差d>0,设{an}的前几项和为Sn,a1=1,S2×S3=36,求m,k 数学 2020-07-17 …
已知ABCD是四个不同的整数已知A.B.C.D是四个不同的整数,且满足A+B+C+D=5,若M是关 数学 2020-07-18 …
proe中画了三个圆，关系是其中d0。，d1，d2分别怎么定义成三个圆的半径d=m*zdb=m*z* 其他 2020-10-31 …
设M={1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17},若有四 数学 2020-11-06 …
用卡诺图化简逻辑函数Y＝F（A,B,C,D）＝Σm（3,4,5,7,9,13,14,15）,要用卡诺 数学 2020-12-23 …
已知二次函数y=ax2+bx+c（a≠0）的图象经过点A（1，0），B（2，0），C（0，-2），直 数学 2021-01-10 …
金属M和AgNO3溶液反应的化学方程式为：M+2AgNO3═M（NO3）2+2Ag．则下列说法错误的 化学 2021-02-13 …