温度对杂质半导体电阻率的影响书上对温度对N型半导体电阻率的影响的描述大致分为先下降后上升再下降.并且分为了低温区,饱和区,本征区.对于这个趋势我不知道怎么解释,并且三个分区是

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温度对杂质半导体电阻率的影响
书上对温度对N型半导体电阻率的影响的描述大致分为先下降后上升再下降.并且分为了低温区,饱和区,本征区.对于这个趋势我不知道怎么解释,并且三个分区是怎么回事

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答案和解析

应该是这样的：

1 对于AB段而言,此时温度较低,温度对于杂质的影响大于对半导体本身的影响.此时半导体中的载流子主要是由杂质电离出的.温度上升时,载流子数量上升,电阻率下降.
2 对于BC段而言,此时,杂质电离完成,即已饱和.但本征激发不显著,载流子影响降低,晶格振动的影响变大,电阻率随温度上升.
3 对C点以后,和本征半导体类似,此时本征激发成为主要因素,故电阻率随温度上升而下降.

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