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(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
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(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。 ⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子 ![]() ⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题: ![]() ① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。 ②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲ ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。 ④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。 a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键 ![]() ⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。 |
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。 ⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子 ![]() ⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题: ![]() ① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。 ②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲ ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。 ④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。 a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键 ![]() ⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。 |
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
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⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
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① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
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⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
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⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
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① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
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⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
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⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
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① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
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⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
▲ ▲ ▲ ⑵ K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
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⑶CuCl 2 溶液与乙二胺(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )可形成配离子:请回答下列问题:
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① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO 2 分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl 4 互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH 3 ) 3 ]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
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⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
K^S*5U.C#O% ▲
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2 2 2 2 2
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▲
2 ▲ 4 ▲
▲ 3 3 ▲
▲
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▼优质解答
答案和解析
⑴1s 2 2 2s 2 2 2p 6 6 3s 2 2 3p 6 6 3d 10 10 4s 2 2 4p 1 1 (或[Ar]3d 10 10 4s 2 2 4p 1 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O% K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 4 2- 2- 、SiO 4 4 4- 4- 等(1分)
③sp 3 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
(12分) ⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分) 正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O% ⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分) ⑶① O >N >H(1分) ②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分) ③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分) ④abd (2分) ⑤4(1分) |
(12分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
(12分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
(12分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
(12分)
⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
(12分)⑴1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 2- 、SiO 4 4- 等(1分)
③sp 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
⑴1s 2 2 2s 2 2 2p 6 6 3s 2 2 3p 6 6 3d 10 10 4s 2 2 4p 1 1 (或[Ar]3d 10 10 4s 2 2 4p 1 1 )(1分)
正四面体(1分)原子晶体(1分) K^S*5U.C#O% K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道(1分)
⑶① O >N >H(1分)
②V形(1分) SO 4 4 2- 2- 、SiO 4 4 4- 4- 等(1分)
③sp 3 3 杂化(1分) 乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键(1分)
④abd (2分) ⑤4(1分)
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