（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原

Question

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为     ▲    。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为    ▲   。在四大晶体类型中，GaN属于   ▲  晶体。
⑵ _K^S*5U.C#O% 铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有     ▲   的原子或离子
⑶CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是    ▲  。
②SO ₂ 分子的空间构型为   ▲ 。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为   ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为   ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是   ▲   。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有    ▲   。
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为     ▲  。

    ▲       ▲     ▲ 
_K^S*5U.C#O%     ▲  
_{2 2 2 2 2}

   ▲ 
₂   ▲ ₄   ▲
  ▲  _{3 3}   ▲  
   ▲  


    ▲ 

Answer 1

（12分）
⑴1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ （或[Ar]3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①   O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ ^2- 、SiO ₄ ^4- 等（1分）
③sp ³ 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

（12分）
⑴1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ （或[Ar]3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①   O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ ^2- 、SiO ₄ ^4- 等（1分）
③sp ³ 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

（12分）
⑴1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ （或[Ar]3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①   O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ ^2- 、SiO ₄ ^4- 等（1分）
③sp ³ 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

（12分）
⑴1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ （或[Ar]3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①   O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ ^2- 、SiO ₄ ^4- 等（1分）
③sp ³ 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

（12分）
⑴1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ （或[Ar]3d ¹⁰ 4s ² 4p ¹ ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①   O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ ^2- 、SiO ₄ ^4- 等（1分）
③sp ³ 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

（12分）
⑴1s ² 2 2s ² 2 2p ⁶ 6 3s ² 2 3p ⁶ 6 3d ¹⁰ 10 4s ² 2 4p ¹ 1 （或[Ar]3d ¹⁰ 10 4s ² 2 4p ¹ 1 ）（1分）
正四面体（1分）原子晶体（1分） _K^S*5U.C#O% K^S*5U.C#O%
⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）
⑶①     O >N >H（1分）
②V形（1分）     SO ₄ 4 ^2- 2- 、SiO ₄ 4 ^4- 4- 等（1分）
③sp ³ 3 杂化（1分） 乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）
④abd （2分）        ⑤4（1分）

略

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