（三选一）化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN

Question

（三选一）【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 
(3)CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：

请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO ₂ 分子的空间构型为__________。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为_________
 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。

（三选一）【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 
(3)CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：

请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO ₂ 分子的空间构型为__________。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为_________
 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。

（三选一）【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 
(3)CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：

请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO ₂ 分子的空间构型为__________。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为_________
 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。

（三选一）【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 
(3)CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子： （三选一）【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 
(3)CuCl ₂ 溶液与乙二胺(H ₂ N-CH ₂ -CH ₂ -NH ₂ )可形成配离子：


_{2 2 2 2 2}

请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO ₂ 分子的空间构型为__________。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为_________
 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。 请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO ₂ 分子的空间构型为__________。与SnCl ₄ 互为等电子体的一种离子的化学式为_________
 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH ₃ ) ₃ ]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    
a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。

_{2 4
3 3}

Answer 1

（1）1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 （或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 ）；正四面体；原子晶体（2）能够接受孤电子对的空轨道（3）①  O >N >H②V形 ；  SO 4 ...