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(2013•沭阳县模拟)铟、镓与氮、磷、硫、砷等元素形成的化合物是制备LED晶片的主要原料,材质基本以AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主.(1)镓的基态原子的电子排布式是
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(2013•沭阳县模拟)铟、镓与氮、磷、硫、砷等元素形成的化合物是制备LED晶片的主要原料,材质基本以AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主.
(1)镓的基态原子的电子排布式是______.
(2)N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是______.
(3)N、P、As处于同一主族,其氢化物中NH3的沸点却最高,主要原因是______.
(4)与NO3-离子互为等电子体的分子为______(任写一种).
(5)GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.GaN的晶胞结构如图所示,其中与同一个Ga原子(黑色球)相连的N原子构成的空间构型为______.N原子的杂化方式为______.
(1)镓的基态原子的电子排布式是______.
(2)N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是______.
(3)N、P、As处于同一主族,其氢化物中NH3的沸点却最高,主要原因是______.
(4)与NO3-离子互为等电子体的分子为______(任写一种).
(5)GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.GaN的晶胞结构如图所示,其中与同一个Ga原子(黑色球)相连的N原子构成的空间构型为______.N原子的杂化方式为______.
▼优质解答
答案和解析
(1)镓位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,
故答案为:ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1);
(2)同一周期中,元素的第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势,但第ⅤA族元素第一电离能大于相邻元素,所以P、S两种元素的第一电离能:P>S;同主族,从上到下,元素的第一电离逐渐减小,所以N、P两种元素的第一电离能:N>P,所以N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是:N>P>S,
故答案为:N>P>S;
(3)在氨气分子中,存在氢键,所以导致沸点高于同主族的其他氢化物,故答案为:氨气分子间有氢键;
(4)NO3-中有4个原子,5+6×3+1=24个价电子,SO3中有4个原子,6+6×3=24个价电子,与NO3-是等电子体,故答案为:SO3;
(5)GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体;
根据GaN的晶胞结构如图所示,可知N原子含有4个σ键且不含孤电子对,所以采用sp3杂化,
故答案为:正四面体;sp3.
故答案为:ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1);
(2)同一周期中,元素的第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势,但第ⅤA族元素第一电离能大于相邻元素,所以P、S两种元素的第一电离能:P>S;同主族,从上到下,元素的第一电离逐渐减小,所以N、P两种元素的第一电离能:N>P,所以N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是:N>P>S,
故答案为:N>P>S;
(3)在氨气分子中,存在氢键,所以导致沸点高于同主族的其他氢化物,故答案为:氨气分子间有氢键;
(4)NO3-中有4个原子,5+6×3+1=24个价电子,SO3中有4个原子,6+6×3=24个价电子,与NO3-是等电子体,故答案为:SO3;
(5)GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体;
根据GaN的晶胞结构如图所示,可知N原子含有4个σ键且不含孤电子对,所以采用sp3杂化,
故答案为:正四面体;sp3.
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