二氯二氢硅（SiH2Cl2）常用于外延法工艺中重要的硅源．易燃、有毒，与水接触易水解，沸点8.2℃．在铜催化作用下，HCl与硅在25O-260℃反应可以制得SiH2Cl2．（1）利用浓硫酸、浓盐酸为原料，

Question

二氯二氢硅（SiH₂Cl₂）常用于外延法工艺中重要的硅源．易燃、有毒，与水接触易水解，沸点8.2℃．在铜催化作用下，HCl与硅在25O-260℃反应可以制得SiH₂Cl₂．

（1）利用浓硫酸、浓盐酸为原料，选用A装置制取HCl，利用了浓硫酸的___性．
（2）D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为___．
（3）按照气体从左到右方向，制取SiH₂Cl₂的装置（h 处用止水夹夹好）连接次序为a→___→___→___→___→___→___→___（填仪器接口的字母，其中装置C用到2次）．
（4）按从左到右的顺序，前面装置C中装的药品为___，后面装置C的作用为___．
（5）反应除生成二氯二氢硅之外，还会生成H₂和___、___．
（6）新的制取SiH₂Cl₂方法是：往硅粉中先通入Cl₂在300-350℃反应生成SiCl₄，然后再与HCl在250-260℃反应，可以大大提高产率．如果通人气体次序相反，结果会___（用化学方程式表示）．

Answer 1

（1）利用浓硫酸、浓盐酸为原料，浓硫酸有吸水性，使浓盐酸更易挥发出HCl，故答案为：吸水；
（2）D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为Si+2HCl(250～260℃.)/()SiH₂Cl₂，故答案为：Si+2HCl(250～260℃.)/()SiH₂Cl₂；
（3）A装置制取HCl，连接C装置干燥，为a-d-e，从f进入D中反应，SiH₂Cl₂从g处挥发，在B装置中收集，SiH₂Cl₂密度比空气重，导气管应长进短出，为防止空气中的水进入B中，则应在B后接干燥管，故顺序为：adefgbcde；
故答案为：d；e；f；g；b；c；d；
（4）C装置干燥氯化氢气体，故应选酸性P₂O₅或中性CaCl₂干燥剂，后面装置C的作用为尾气处理和防止空气中的水进入B中；
故答案为：P₂O₅或CaCl₂；尾气处理和防止空气中的水进入B中；
（5）反应除生成二氯二氢硅之外，还会发生反应3Si+10HCl(高温.)/()2SiHCl₃+SiCl₄+4H₂，生成H₂和SiCl₄、SiHCl₃等；
故答案为：SiCl₄；SiHCl₃；
（6）往硅粉中先通入Cl₂在300-350℃反应生成SiCl₄，然后再与HCl在250-260℃反应，可以大大提高产率．如果通人气体次序相反，结果会SiH₂Cl₂与Cl₂反应，SiH₂Cl₂+2Cl₂(△.)/()SiCl₄+2HCl  （或SiH₂Cl₂+Cl₂(△.)/()SiHCl₃+HCl），
故答案为：SiH₂Cl₂+2Cl₂(△.)/()SiCl₄+2HCl  （或SiH₂Cl₂+Cl₂(△.)/()SiHCl₃+HCl）．