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半导体晶圆生产过程中如何检验掺氯氧化的效果?如何定量分析
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半导体晶圆生产过程中如何检验掺氯氧化的效果?如何定量分析
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掺氯氧化的主要目的是为了消除Na、K离子的沾污.掺氯氧化的效果可以间接地从MOS的C-V测试来得知；也可以直接采用光谱分析技术来检验,但是这种方法在生产中一般较难以进行.
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