霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数且k为正数）．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示

Question

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B₀+kz（B₀、k均为常数且k为正数）．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示），当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同，则（　　）

A. 磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大

B. k越大，传感器灵敏度（

(△U)/(△z)）越高

C. 若图中霍尔元件是电子导电，则上表面电势高

D. 电流越大，上、下表面的电势差U越小

Answer 1

A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有q(U)/(c)=qvB，
电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc，所以U=(BI)/(nqb)．B越大，上、下表面的电势差U越大．电流越大，上、下表面的电势差U越大．故A正确，D错误．
    B、k越大，根据磁感应强度B=B₀+kz，知B随z的变化越大，根据U=(BI)/(nqb)．知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度（(△U)/(△z)）越高．故B正确．
    C、霍尔元件中移动的是自由电子，根据左手定则，电子向下表面偏转，所以上表面电势高．故C正确．
故选：ABC．