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半导体物理学作业题目提问。已知T=300K时，硅中受主杂质的浓度为NA=5x10^15cm^(-3),为形成N型杂质补偿半导体加入了施主杂质，费米能级位于导带底以下0.215eV处。问应加入多大浓度的施主原子
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半导体物理学作业题目提问。
已知T=300K时，硅中受主杂质的浓度为 NA=5x10^15 cm^(-3),为形成N型杂质补偿半导体加入了施主杂质，费米能级位于导带底以下0.215eV处。问应加入多大浓度的施主原子？
已知T=300K时，硅中受主杂质的浓度为 NA=5x10^15 cm^(-3),为形成N型杂质补偿半导体加入了施主杂质，费米能级位于导带底以下0.215eV处。问应加入多大浓度的施主原子？
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