请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．（1）Ga原子的电子排布式为．（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与

Question

请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．
（1）Ga原子的电子排布式为______．
（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与______个As原子相连，与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为______．
（3）在四大晶体类型中，GaAs属于______晶体．
（4）As与Ga之间存在的化学键有______（填字母）
A．离子键    B．σ键    C．π键    D．氢键  E．配位键     F．金属键    G．极性键
（5）GaAs晶胞如图所示，其晶胞边长为564.0pm，密度为______g/cm³（列式并计算），a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为

141√(3)

141√(3)

pm（列式表示）．（Ga、As的相对原子质量分别为70、75）

Answer 1

（1）Ga原子是31号元素，根据构造原理写出Ga原子的电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹，
故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；
（2）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：4；正四面体；
（3）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，故答案为：原子；
（4）碳原子可以形成4个碳碳单键，所以每个As应与4个Ga相连，金刚石中含有的化学键是共价键，所以该物质中含有的化学键是极性键，单键为σ键，又因为砷原子还有1对孤对电子，而镓原子有容纳孤对电子的空轨道，所以还可以构成配位键，
故答案为：BEG；
（5）晶胞中Ga位于体内，数目为4，As原子位于顶点和面心，数目为8×(1)/(8)+6×(1)/(2)=4，则晶胞质量为(4×(70+75)g/mol)/(6.02×1023mol−1)，晶胞体积为（564×10^-10cm）³³，则密度为(4×(70+75))/(6.02×1023×(564×10−10)3)=5.37g/cm³；
a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为晶体体对角线的(1)/(4)，则距离为(1)/(4)×√(3)×564×10^-10cm=141√(3)，
故答案为：5.37；141√(3)．