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键能的大小可以衡量化学键的强弱.下列说法中错误的是()化学键Si-OSi-ClH-HH-ClSi-SiSi-C键能/kJ•mol-1460360436431176347A.SiCl4的熔点比SiC熔点低B.HCl的稳定性比HI稳定性高C.C-C的键能大于Si-SiD
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键能的大小可以衡量化学键的强弱.下列说法中错误的是( )
A.SiCl4的熔点比SiC熔点低
B.HCl的稳定性比HI稳定性高
C.C-C的键能大于Si-Si
D.拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ
化学键 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
键能/kJ•mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
A.SiCl4的熔点比SiC熔点低
B.HCl的稳定性比HI稳定性高
C.C-C的键能大于Si-Si
D.拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ
▼优质解答
答案和解析
A、SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体>分子晶体;
B、H-I键的键长比H-Cl长,键长越短键能越大,化学键越稳定,氢化物越稳定;
C、键长越短化学键越稳定,键能越大;
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个Si原子通过Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×=2mol.
【解析】
A、SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体>分子晶体,所以SiCl4的熔点比SiC熔点低,故A正确;
B、H-I键的键长比H-Cl长,键长越短键能越大,化学键越稳定,氢化物越稳定,所以HCl的稳定性比HI稳定性高,故B正确;
C、C原子半径小于Si原子半径,C-C键的键长比Si-Si键的短,键长越短化学键越稳定,键能越大,所以C-C的键能大于Si-Si,故C正确;
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个Si原子通过Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故D错误.
故选D.
B、H-I键的键长比H-Cl长,键长越短键能越大,化学键越稳定,氢化物越稳定;
C、键长越短化学键越稳定,键能越大;
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个Si原子通过Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×=2mol.
【解析】
A、SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体>分子晶体,所以SiCl4的熔点比SiC熔点低,故A正确;
B、H-I键的键长比H-Cl长,键长越短键能越大,化学键越稳定,氢化物越稳定,所以HCl的稳定性比HI稳定性高,故B正确;
C、C原子半径小于Si原子半径,C-C键的键长比Si-Si键的短,键长越短化学键越稳定,键能越大,所以C-C的键能大于Si-Si,故C正确;
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个Si原子通过Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故D错误.
故选D.
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