砷化镓属于第三代半导体，其晶胞结构如如图所示．请回答下列问题：（1）下列说法中正确的是．A．电负性：As<GaB．第一电离能：As<GaC．砷和镓都属于p区元素D．

Question

砷化镓属于第三代半导体，其晶胞结构如如图所示．请回答下列问题：

（1）下列说法中正确的是___．
A．电负性：As<Ga                B．第一电离能：As<Ga
C．砷和镓都属于p区元素         D．砷和镓在不同周期
（2）砷化镓（GaAs）是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃进行制备得到，其中（CH₃）₃Ga中镓原子的杂化方式为___．
（3）Ga的基态原子核外电子排布式为___．
（4）AsH₃的沸点比NH₃___，其原因是___．

Answer 1

A．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As>Ga，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离呈增大趋势，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以则第一电离能：As>Ga，故B错误；
C．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故C正确；
D．砷和镓在相同的周期，均在第四周期，故D错误，故选C；
（2）AsH₃中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp²杂化，故答案为：sp²；
（3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹，故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；
（5）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH₃分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，
故答案为：NH₃分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．