Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为

Question

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                            。
（2）下列说法正确的是              （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH ₃ ) ₃ Ga和AsH ₃ 在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是    （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH ₃ ) ₃ Ga中镓原子的杂化方式为          。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca ²⁺ 的配位数为               。
（2）已知Ca ²⁺ 的半径为a cm，O ^2- 的半径为b cm，N _A 代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为           g/cm ³ 。（用含a、b、N _A 的代数式表示）

Answer 1

Ⅰ（1）  
（2）AC
（3）非极性分子    sp ²
Ⅱ（1）  6
（2） 

略