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第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.试回答:(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为.(2)下列说法正确的是ACAC
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第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为.
(2)下列说法正确的是ACAC(选填序号).
A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是非极性分子非极性分子(填“极性分子”或“非极性分子”).(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为sp2sp2.
(4)如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子.
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为.
(2)下列说法正确的是ACAC(选填序号).
A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是非极性分子非极性分子(填“极性分子”或“非极性分子”).(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为sp2sp2.
(4)如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子.
▼优质解答
答案和解析
(1)镓位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,价电子的轨道排布式为:,故答案为:;(2)A.因砷和镓的电子排布中最后填充的是p电子,则都属于p区元素,故A正确...
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