早教吧作业答案频道 -->物理-->
初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的侧向位移),可采用哪
题目详情
初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向
位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.
为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的侧向位移),可采用哪些办法
A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1
那A为什么不行?抱歉,没有图,麻烦解释一下A为什么不行
位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.
为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的侧向位移),可采用哪些办法
A 增大偏转电压U2 B 减小板长L C 减小板间距离d D 增大加速电压U1
那A为什么不行?抱歉,没有图,麻烦解释一下A为什么不行
▼优质解答
答案和解析
嗯 增大偏转电压的话他的侧向位移会相应增加,而题目中问的是每单位偏转电压引起的位移,也就是电压与位移的比值,电压增大位移也相应增大,比值是不变的.
还是列个式子吧
有一个带电粒子带电量q 质量m 设进入偏转电场速度v(v只于加速电场电压有关)
两极板间电场强度E=U2/d,粒子受电场力U2*q/d,加速度为U2*q/dm,
粒子通过电场时间为L/v,那么最后偏转距离为1/2at²,
就是U2qL²/2dmv²,每单位电压引起的位移就是qL²/2dmv²,U2消去了
灵敏度可以看出与B C D都相关 D的影响体现在v上
还有一个前提是粒子不打在极板上~
能看懂么~希望我讲得够清楚 不懂的话可以再找我
还是列个式子吧
有一个带电粒子带电量q 质量m 设进入偏转电场速度v(v只于加速电场电压有关)
两极板间电场强度E=U2/d,粒子受电场力U2*q/d,加速度为U2*q/dm,
粒子通过电场时间为L/v,那么最后偏转距离为1/2at²,
就是U2qL²/2dmv²,每单位电压引起的位移就是qL²/2dmv²,U2消去了
灵敏度可以看出与B C D都相关 D的影响体现在v上
还有一个前提是粒子不打在极板上~
能看懂么~希望我讲得够清楚 不懂的话可以再找我
看了初速度为零的电子经电压U1加速...的网友还看了以下:
单相桥式全控整流电路最大正向电压为二分之根号二倍U2,而反向电压为根号二倍U2,请大神给具体分析下 2020-05-14 …
将洁净的金属片A、B、C、D分别放置在浸有盐溶液的滤纸上面并压紧(如图所示).在每次实验时,记录电 2020-05-16 …
线电压是两个相的相电压的矢量和 线电压怎么样矢量求和?每一相输出电压的方向是什么方向?线电压怎么样 2020-05-16 …
晶闸管由导通变为关断的条件是【】.1.控制极加反向电压2.除去控制极正向电压3.阳极加反向电压4. 2020-05-17 …
硅稳压管工作于( ),它在电路中起稳定电压的作用。A.正向电压区B.死区电压区C.反向电压区D.反向 2020-05-30 …
电压也称电位差,电压的方向是由低电位指向高电位。 2020-05-30 …
要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,( )加反向电压。A.控制结B.集电区C.基区D. 2020-05-31 …
当在三极管的发射结加正向电压、集电结加正向电压时,该三极管处于工作状态.当在三极管的发射结加正向电 2020-06-05 …
电动势与电压电子流与电流?我在书上看到这样的描述:电动势是针对电源内部,而电压指的是电路中任意两点 2020-06-08 …
关于电压的作用,下列说法正确的是()A.电压使电荷定向移动形成电流B.电压使自由电荷定向移动形成电 2020-06-20 …