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晶格能的主要影响因素是什么?
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晶格能的主要影响因素是什么?
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答案和解析
影响晶格能大小的因素主要是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型等.
离子半径
例如,随着卤离子半径增大,卤化物的晶格能降低
离子电荷
高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能,如UTiN>UMgO>UNaCl.
离子的电子层构型
Cu+和Na+半径相近、离子电荷相同,但Cu+是18电子构型,对阴离子会产生极化作用,因此UCu2S
离子半径
例如,随着卤离子半径增大,卤化物的晶格能降低
离子电荷
高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能,如UTiN>UMgO>UNaCl.
离子的电子层构型
Cu+和Na+半径相近、离子电荷相同,但Cu+是18电子构型,对阴离子会产生极化作用,因此UCu2S
- 追问:
- 我想问一下 在比较晶格能时,先看半径还是电荷量?谁占主导地位?
- 追答:
- 我先看离子电荷的
- 追问:
- 库伦定律得kq1乘q2除以r平方,半径的微小变化会引起巨变,而电荷变化只会引起几倍的变化,我觉得是半径主导,你认为我的分析哪里出错了?
- 追答:
- 高中可以用类似库伦定律的方法判断比较晶格能相对大小,但不能用于定量计算的(计算方法很复杂的)。 例:NaCl核间距为282pm,晶格能是786kJ/mol;NaBr核间距为298pm,晶格能是747kJ/mol,MgO核间距为210pm,晶格能是3791kJ/mol。所以我先看离子电荷。
作业帮用户
2017-10-06
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