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和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大