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共找到 4 与其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中 相关的结果,耗时111 ms
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,
其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中
,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
化学
2)铜、铁元素能形成多种配合
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,
其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中
,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,
其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中
,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,
其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中
,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
化学
__晶体.
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