同时外加与薄片垂直的磁场B搜索结果第1页,早教吧

早教吧育儿知识作业答案考试题库百科知识分享

创建时间 资源类别 相关度排序

共找到 4 与同时外加与薄片垂直的磁场B 相关的结果，耗时25 ms

霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M 其他

霍尔系数，由半导体材料的性质

霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电物理

d ，

（2009•盐城模拟）在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电物理

势较高？（2）试证明：UH=

霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图甲所示，在一矩形半导体薄片的E、F间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在C、D间出现物理

d

热门搜索：