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（2011•龙岩模拟）制作半导体时，需向单晶硅或其他晶体中掺入杂质．单晶硅内的原子是规则排列的，在两层电子间的间隙会形成如图甲所示的上下对称的匀强电场，设某空间存在上下对称物理

的带电小球从上边界以初速度v

MCl晶体具有立方体结构，其晶胞结构如图所示，在该晶体中，每个M+周围与它最接近的且距离相等的M+的个数共有（）A.6个B.8个C.12个D.16个化学

下列说法中错误的是（）A.SO2、SO3都是极性分子B.在NH4+和[Ag（NH3）2]+中都存在配位键C.元素电负性越大的原子，吸引电子的能力越强D.晶体的自范性是晶体中粒子在微观空间里呈现周化学

下列说法中错误的是（）A．SO2、SO3都是极性分子B．在NH4+和[Ag（NH3）2]+中都存在配位键C．元素电负性越大的原子，吸引电子的能力越强D．晶体的自范性是晶体中粒子在微观空间里呈现化学

如图所示为氯化钠晶体的晶胞。请回答：(1)Cl－的配位数为；晶体中氯离子按型方式进行紧密堆积，钠离子填在氯离子所构成的空隙中。(2)一化学

_____ 个氯离子，

下列说法中正确的是（）A．离子晶体中每个离子的周围均吸引着6个带相反电荷的离子B．NaCl固体在常温下不导电，是该固体中没有阴阳离子C．分子晶体的熔沸点低，常温下均呈液态或化学

下列说法不正确的是（）A.CO2、SiO2的晶体结构类型不同B.加热硅、硫晶体使之熔化，克服的作用力不同C.HF比HCl稳定是因为HF间存在氢键D.NaOH、NH4Cl晶体中既有离子键又有共价键化学

下列叙述正确的是（）A.在晶体硅中，Si原子与Si-Si键数目比为1：2B.分子晶体中都存在范德华力，分子内都存在共价键C.HF、HCl、HBr、HI四种物质的沸点依次升高D.干冰和氯化铵分别受化学

在粗制CuSO4·5H2O晶体中常含有杂质Fe2.在粗制CuSO4·5H2O晶体中常含有杂质Fe2.在提纯时为了除去Fe2,常加入H2O2做氧化剂,使Fe2氧化为Fe3,然后再加入适当NaOH调整至溶液pH=4,使Fe3转化为Fe(OH)3,可以化学

3 而不损失CuSO4的目的

在浓的TiCl3的盐酸溶液中加入乙醚,并通入HCl至饱和,可得到配位数为6、组成为TiCl3•6H2O的绿色晶体,该晶体中两种配体的物质的量之比为1：5,则该配离子的化学式为因为配位体只有Cl与H2O二化学

他比例均不符要求.为什么不能

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