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一块N型半导体薄片(电子导电)称霍尔元件,其横载面为矩形,体积为b×c×d,如图所示.已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e,将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿z
物理
在磁感应强度一定时,CC′两
一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横载面为矩形,体积为b×c×d,如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e,将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿
物理
侧面中,哪个面电势高?(2)
一导体材料的样品的体积为a×b×c,A′、C、A、C′为其四个侧面,如图所示.已知导体样品中载流子是自由电子,且单位体积中的自由电子数为n,电阻率为ρ,电子的电荷量为e,沿x方向
物理
定向移动的速率是______
以下关于电阻的说法中.不正确的是()A.
导体的电阻
是导体对电流的阻碍作用B.电阻的单位是伏/安C.
导体的电阻
与通过该导体的电流强度成反比D.电阻率只决定于
物理
(2007•东台市模拟)一导体材料样品的体积为a×b×c,A'、C、A、C'为其四个侧面,如图所示.已知导体样品中载流子是自由电子,且单位体积中的自由电子数为n,电阻率为ρ,电子的电荷量
其他
ab,导体中自由电子定向移动
一导体材料的样品的体积为a×b×c,A′、C、A、C′为其四个侧面,如图所示.已知导体样品中载流子是自由电子,且单位体积中的自由电子数为n,电阻率为ρ,电子的电荷量为e,沿x方向通有
物理
子定向移动的速率是Ineab
长方体导电材料,建立如图所示的坐标系,和坐标轴的交点坐标分别为x0、y0、z0,
导体的电阻
率为ρ,导电材料中的自由电荷为电子,电量为e,单位体积中自由电荷的个数为n,若在垂直于x
物理
由电荷定向移动的平均速率;(
银是电阻率很小的导电体,假设银导线中50%的银原子的最外层电子脱离原子核的束缚而成为自由电子.求银导线中自由电子数的密度(即单位体积内银导线中自由电子的个数).计算时取银
物理
×1023mol-1.(计算
以下关于电阻的说法中.不正确的是()A.
导体的电阻
是导体对电流的阻碍作用B.电阻的单位是伏/安C.
导体的电阻
与通过该导体的电流强度成反比D.电阻率只决定于导体的材料性质
物理
,式中R表示
导体的电阻
,l表示导体的长度,S表示导体的横截面积,ρ表示材料的电阻率,它是指长1m,横截面积1mm2的导线的电阻值,请你根据公式判断材料电阻率ρ的国际单位是.(4
其他
,大型电子计算机的一些关键部
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