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共找到 1 与溅渡SIO2为什么在基片上会有SI的其他氧化物存在通过对基片上的SI的氧化物分析 相关的结果，耗时55 ms
溅渡SIO2为什么在基片上会有SI的其他氧化物存在通过对基片上的SI的氧化物分析
，其si的成分占68%左右，O2占23%左右。出现这样的情况会和镀膜的压力以及氧气量的配比有某种特定关系？溅镀
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