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地址编号从80000H到BFFFFH且按字节编址的内存容量为（ ）KB，若用16K×4bit的存储器芯片构成该内存，共需（ ）。A.128 B.256 C.512 D.1024 A.8 B.16 C.32 D.64
若用256K×8bit的存储器芯片，构成地址40000000H到400FFFFFH且按字节编址的内存区域，则需（ ）片芯片。A.4B.8C.16D.32
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的? ( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个叙述是正确的? ( )Ⅰ．DRAM比SBAM集成度高Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAN比SRAM速度快Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新 其中哪两个叙述是正确的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新其中哪两个叙述是正确的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
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