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外围电路用ECL电路，使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A．32B．64C．128D．256
某趾M芯片，其存储容量为16K×8位，则该芯片引出线的最小数目应为(3)。存储器芯片的地址范围是(4)。A．8B．14C．16D．26
若RAM芯片的容量是2M~8bit，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是(6)。A．21B．29C．18D．不可估计
内存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有(1)。若用存储容量为 32K×8b的存储器芯片构成该内存，至少需要(2)片。A．80KBB．96KBC．160KBD．192KB
● 如下图所示，若低位地址（A0-A11）接在内存芯片地址引脚上，高位地址（A12-A19）进行片选译码（其中，A14 和 A16 没有参加译码） ，且片选信号低电平有效，则对下图所示的译码器，不属于此译码空间的地址为 （36） 。（36）A. AB000H～ABFFFHB. BB000H～BBF
动态存储器芯片的正常访问周期为60us，其中，输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变，只改变列地址，则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片，全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。A．1.34B．2.68C．5.36D．3.16
需要一个16MB×8位的存储器，现有存储芯片为1MB×8位。则需要(1)个存储器芯片。存储器芯片的地址长度需要(2)位，主存储器的地址长度需要(3)位。A．16B．8C．32D．24
用4K×4位的RAM芯片组成一个16K×16位的存储器，按字节寻址，需要的RAM芯片数和地址线数分别是(9).A．74片，14根B．16片，15根C．16片，16根D．32片，15根
用于存储器的芯片有不同的类型。可随机读写，且只要不断电，则其中存储的信息就可一直保存，称为(32)。可随机读写，但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的，称为(33)。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(34)。通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信
主存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有(21)字节。若用存储容量为32K*8bit的存储器芯片构成该主存，至少需要(22)片。A．80KB．96KC．160KD．192K
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