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一块N型半导体薄片（电子导电）称霍尔元件，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿z 物理

在磁感应强度一定时，CC′两

回旋加速器D型盒中央为质子源，D型盒间的交变（方波）电压为U=2×104V，静止质子经电场加速后，进入D型盒，其最大轨道半径R=1m，磁感应强度B=0.5T，质子质量m=1.67×10-27kg，电荷量e=1.6×10-19C 物理

（2）质子经回旋加速器最后得

一块N型半导体样品的体积为abc,A,C',A',C,为其四个侧面,已知半导体样品单位体积中的电子数为n,电阻率为p,电子的电荷量为e,将半导体放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴正方向,并沿x方向通有电流物理

电子定向移动的平均速率是多少

(60,27)Co的衰变方程式为:(60,27)Co===(A,Z)Ni+(0,-1)e-+ve,其中ve是反中微子,它的电荷为零,静止质量可以为零.则(A,N)Ni的质子数、电子数、质量数、中子数怎么判断,分别是多少?（括号里表示的是左上化学

如图所示，AB、CD为两平行金属板，A、B两板间电势差为U．C、D始终和电源相接，且板间的场强为E．一质量为m、电荷量为q的带电粒子（重力不计）由静止开始，经AB加速后穿过CD发生偏转，最其他

．该粒子带负电B．该粒子在电

在截面积为S的粗细均匀铜导体中流过恒定电流I，铜的电阻率为ρ,电子电荷量为e，则电子在铜导体中运行时受到的电场作用力多大？物理

一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿物理

侧面中，哪个面电势高？(2)

（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁物理

？（2）试证明在磁感应强度一

如图所示，平行金属板M、N间存在匀强电场，一质量为m电荷量为e的电子从M板附近由静止开始被电场加速，又从N板的小孔A水平射出，并垂直进入一半径为R的圆形匀强磁场区域，匀强磁场物理

电子在磁场中通过的路程最大，

如图所示，长L=0.4m的两平行金属板A、B竖直放置，相距d=0.02m，两板间接入恒定电压为182V，B板接正极，一电子质量m=9.1×10-31kg，电荷量e=1.6×10-19C，以v0=4×107m/s的速度紧靠A板向上射入电场中，物理

电场？若能，计算在电场中的偏

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