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共找到 1 与硅管区饱和压降VCES为0 相关的结果，耗时34 ms
小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,
硅管区饱和压降VCES为0
.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应
物理
可是书上说VBE=VCE=0
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