小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应

Question

小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?
模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V,据此,临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀.
就没一本书上讲得透彻的.
可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和,这怎么解释.

Answer 1

对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此...