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利用霍尔效应测量磁感应强度的原理如图所示，元件中通以正x方向的电流I，置于沿z轴方向的磁场中，其前、后表明垂直于z轴，在元件上、下表面之间产生电势差U．若磁感应强度B=B0+kz 物理

A．若该元件的载流子是电子，

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流不变（方向如图中箭头所示物理

（　　）A. 磁感应强度B越

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数）．将传感器固定在霍尔元件上，沿z轴方向元件的厚度为d，保持通过霍尔元件的电流物理

上的上、下表面的电势差U也不

t=0时，磁场在xOy平面内的分布如图所示，其磁感应强度的大小均为B0，方向垂直于xOy平面，相邻磁场区域的磁场方向相反，每个同向磁场区域的宽度均为L0，整个磁场以速度v沿x轴正方向匀速其他

轴．bc=LB、ab=L，L

t=0时，磁场在xOy平面内的分布如图所示．其磁感应强度的大小均为B0，方向垂直于xOy平面，相邻磁场区域的磁场方向相反．每个同向磁场区域的宽度均为l0．整个磁场以速度v沿x轴正方向匀速物理

cd，线框的bc边平行于x轴

（2013•江西三模）如图所示，质量为m、带电量为q的离子沿垂直于磁场方向射入磁感应强度为B0的匀强磁场中．在垂直穿过图中标号为0的薄板后，圆运动的半径减小为原来的1k（k＞1），此薄其他

与B0方向相同的匀强磁场且离

如图所示，在光滑水平面上，有一坐标系xOy，其第一象限内充满着垂直平面坐标向里的磁场，磁感应强度B沿y方向不变，沿x方向的变化满足B=B0+kx（T），有一长ac=l1，宽cd=l2的矩形线框abcd，其物理

以角速度ω匀速转动90°时线

t＝0时，磁场在xOy平面内的分布如图所示。其磁感应强度的大小均为B0，方向垂直于xOy平面，相邻磁场区域的磁场方向相反。每个同向磁场区域的宽度均为l0。整个磁场以速度v沿x轴正方物理

框abcd，线框的bc边平行

如图所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t=0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的正方形．为使物理

这种情况下B与t的关系式．

如图所示．竖直放置的间距为L=1米的两平行光滑导轨，上端连接一个阻值为R=1Ω的电阻，在导轨的MN位置以下有垂直纸面向里的磁场，在MN处的磁感应强度为B0=1T，在MN下方的磁场沿Y轴方向磁物理

也是R=1Ω的金属棒，从距离

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