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一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横载面为矩形,体积为b×c×d,如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e,将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿
物理
侧面中,哪个面电势高?(2)
有一个长度为a,半径为r的均匀的合金薄圆筒.若在圆筒两端各焊接一个相同半径的,电阻不计的铜环,将两铜环作为合金圆筒的两极时,合金圆筒的电阻为R,若将长度为a的,电阻不计的两
其他
两极,则此圆筒的电阻为(
薄壁平底试管的长度为22cm.在试管里面装入适量的细砂后,能在水中直立的漂浮且有12cm的长度露出水面.把质量为25g的石块,用细线拴好并挂在试管下面,将挂有石块的试管放在水中静止
物理
某实验小组为了体验伽利略理想实验的魅力,利用一块长方形的薄钢片放在两个等高的支架上,做成一个底部凹形由光滑弧面连接的双斜面.该装置可以简化为如图所示模型,斜面与水平面
物理
擦因数为μ. (1)求小滑块
用密度为d、电阻率为ρ、横截面积为A的薄金属条制成边长为L的闭合正方形框abb´a´.如图所示,金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行.设匀强磁场仅存在于相对磁极之
其他
B.方框从静止开始释放,其平
用密度为d、电阻率为ρ、横截面积为A的薄金属条制成边长为L的闭合正方形框abb´a´.如图所示,金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行.设匀强磁场仅存在于相对磁极之
物理
B.方框从静止开始释放,其平
(2013•朝阳区一模)用电阻率为ρ、横截面积为S的薄金属条制成边长为L的闭合正方形框abb′a′.金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行,如图1、2所示.设匀强磁场仅
其他
极间磁感应强度大小为B.当t
用密度为d、电阻率为、横截面积为A的薄金属条制成边长为L的闭合正方框abb′a′。如图所示,金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行。设匀强磁场仅存在于相对磁极
物理
。方框从静止开始释放,其平面
用密度为d、电阻率为ρ、横截面积为A的薄金属条制成边长为L的闭合正方形框abb′a′。如图所示,金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行。设匀强磁场仅存在于相对磁
物理
B。方框从静止开始释放,其平
用密度为d、电阻率为ρ、横截面积为A的薄金属条制成边长为L的闭合正方形框abb′a′.如图所示,金属方框水平放在磁极的狭缝间,方框平面与磁场方向平行.设匀强磁场仅存在于相对
物理
B.方框从静止开始释放,其平
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