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DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,
通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元
。一个
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是A.29个B.(29+29)个C.(29×29)个D.(9×9)个
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