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（2014•吉林二模）已知某圆的极坐标方程为：ρ2-42ρcos（θ-π4）+6=0．（1）将极坐标方程化为普通方程，并选择恰当的参数写出它的参数方程；（2）若点P（x，y）在该圆上，求x+y的最大值和其他

已知圆的极坐标方程为ρ2+4ρcos(θ+π3)−5＝0．（1）将圆的极坐标方程化为普通方程，并选择恰当的参数写出它的参数方程；（2）若点P（x，y）在该圆上，求x+3y的最大值和最小值．其他

已知某圆的极坐标方程为ρ2-42ρcos（θ-π4）+6=0．（1）将极坐标方程化为普通方程，并选择恰当的参数写出它的参数方程；（2）若点P（x，y）在该圆上，求x+y的最大值和最小值．（5分）其他

已知圆的极坐标方程为ρ2－4ρ·cos＋6＝0.(1)将极坐标方程化为普通方程，并选择恰当的参数写出它的参数方程；(2)若点P(x，y)在该圆上，求x＋y的最大值和最小值．数学

选修4-4：极坐标与参数方程已知某圆的极坐标方程为：ρ2-42ρcos（θ-π4）+6=0．（1）将极坐标方程化为普通方程；并选择恰当的参数写出它的参数方程；（2）若点数学

和最小值．

第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A．Al（OH）3B．Ga（OH）3C．同时沉淀出来D．化学

第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A．Al（OH）3B．Ga（OH）3C 化学

2004年9月3日英国《自然》杂志报道，碳化硅是已知最硬的物质之一，其单晶体可制作半导体材料．但正是由于它硬度高，熔化及锻制的过程相当费劲，而且制成的晶片容易产生瑕疵，如杂质化学

找到了锻制碳化硅晶体的新方法

已知将氯气通入浓氨水中可以发生如下反应：3Cl2+8NH3=6NH4Cl+N2（1）用双线桥标出电子转移的方向和数目（2）当有17g的NH3被氧化时，生成的NH4Cl的质量是．化学

已知NH3和Cl2在常温下可快速反应生成氮气：2NH3+3Cl2→N2+6HCl.当Cl2和NH3比例不同时,产物有差异.56．若利用该反应处理含有氨气和氯气的尾气,用于制备盐酸,则Cl2和NH3的最佳比例为化学

应可用于检验化工生产中氯气是

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