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高速缓冲存储器Cache是位于CPU和主存DRAM之间的小容量高速存储器，其采用的是______类型存储器。
以下有关硬盘的缓冲存储器的叙述，其中错误的是A．它由动态随机存取存储器(DRAM)实现B．缓冲存储器可提高磁盘访问速度，增加硬盘容量C．读数据时先从缓冲存储器读，不存在时才访问磁盘D．写数据时先写入缓冲存储器，然后再由缓存写到磁盘
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新 其中哪两个叙述是正确的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新其中哪两个叙述是正确的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
DRAM内存是( )。A．动态只读存储器B．静态只读存储器C．动态随机内存D．静态随机内存
（31）下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A）DRAM是指动态随机存取存储器B）SRAM是指静态随机存取存储器C）EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D）Flash Memory 既具有非易性，又能在线快速擦除和重写
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