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共找到 1339 与si 相关的结果,耗时4 ms
一刀简单的题目?5.计算下列4条指令中操作数的地址并指出执行结果:(1)MOV1[BX+SI],AX(2)MOV2[BP+SI],BX(3)MOV3[BX+DI],CX(4)MOV4[BP+DI],DX执行前:(DS)=1000H,(SS)=2000H,(BX)=30
数学
H,(SS)=2000H,(
按原子半径由大到小顺序排列正确的是[]A.Mg、B、SiB.Si、Mg、BC.Mg、Si、BD.B、Si、Mg
化学
请根据表中化学键的键能计算反应SiCl4(g)+2H2(g)═Si(s)+4HCl(g)的反应热△H为()化学键Si-ClH-HH-ClSi-Si键能/KJ•mol-1360436431176A.240B.412C.236D.667
化学
从沙子(二氧化硅)中制取高纯硅的化学反应方程式是:1.SiO2+2C==Si+2CO2.Si+2Cl2==SiCl43.SiCl4+2H2==Si+4HCl第一步就已经制得硅,为何还要2.3步?
其他
(2010•益阳)芯片是计算机的核心部件,它是由高纯硅制成的,下面是生产单质硅过程中的主要反应:①SiO2+2c高温.Si+2CO↑②Si+2Cl2点燃.SiCl4③
si
Cl4+2H2△.Si+4HCl上述反应③的基本反
化学
化合反应B.分解反应C.置换
(化学-物质结构与性质)C和Si元素在化学中占有极其重要的地位.(1)写出Si的基态原子核外电子排布式.从电负性角度分析,C、Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为.(2
化学
粒间存在的作用力是_____
C和Si元素在化学中占有极其重要的地位.(1)写出Si的基态原子核外电子排布式.从电负性角度分析,C、Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为.(2)SiC的晶体结构与晶体硅
其他
___.(3)氧化物MO的电
C—N键和C—C键长短比较不是应该C—N比C—C长吗?而书上说的恰好相反!怎么比较啊,我都糊涂了那Si—Si键和Si—C键哪个长啊
化学
以下比较中,正确的是()A.微粒半径:O2-
NaBr>NaCl>NaFC.分子中的键角:CH4>H2O>CO2D.共价键的键能:C-C>C-Si>Si-Si
化学
以下比较中,正确的是()A.微粒半径:O2-<F-<Na+<Li+B.单质的熔点:Li<Na<K<RbC.分子中的键角:CH4>H2O>CO2D.共价键的键能:C-C>C-Si>Si-Si
化学
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