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下列各元素的符号，写法正确的是（）A．锰mNB．铅PBC．镁MgD．硅SI 化学

关于Si、P、S、Cl元素及化合物的有关说法正确的是（）A.原子半径依次增大，非金属性逐渐增强B.水泥、玻璃、水晶饰物都是硅酸盐制品C.含有Ag+等重金属离子的工业废水，通常用Na2S进化学

色

下列说法正确的是A．Li、Na、K原子的电子层数依次增多，最高正价依次升高B．Si、P、S、Cl的原子序数依次增大，最低负价依次降低C．Li、Be、B、C的最外层电子数依次增多，化学

一定有正价

下列元素的负化合价依次降低的是A.F、Cl、Br、IB.Li、Na、K、RbC.C、N、O、FD.Cl、S、P、Si 其他

根据下面文字,判断元素：原子最外层上S电子数等于P电子数.单质为空间网状晶体,具有很高的熔沸点.为什么可以根据这段话判断出是Si而不是C呢?我觉得C也符合啊! 化学

（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为，该能层具有的原子轨道数为、电子数为．（2）碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实：化学键化学

O 键能/（kJ•mo

基态Si原子,电子占据的最高能层符号（）,该能层具有的原子轨道数为（）、电子数为（）.答案是M、9、4.但既然只有4个电子,为什么还要有9个轨道,而不是2个轨道?每个轨道上可以有2个电子化学

二．假定（DS）=4000H，（ES）=3200H，（SI）=00C0H，（BX）=0500H，数据段中变量名VAL的偏移地址值为0100H，下列指令源操作数的物理地址值是什么？(1)MOVAX,BX(2)MOVAX,[200H](3) 其他

OV AX, [200H](

在访问存储器操作数时，可以提供偏移地址的是（）①BP、BX、SI、DI②AX、BX、CX、DX③SP、IP④BX、SI 其他

急求高手解答3、已知（DS）=15F0H,（ES）=25F0H,（SS）=35F0H,（BX）=0670H,（SI）=1001H,（DI）=0B0H,（BP）=0150HBUF的偏移地址是0900H计算下列指令源操作数的物理地址,指出寻址方式.1.CMPAX,ES：[S 数学

：[SI]2.AND DX,

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