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如图所示,由粗细均匀的导电材料做成的单匝矩形线框abcd的电阻为R,线框的质量为m,高度为L、宽度为2L.若线框无初速度地从高处落下,下边保持水平向下平动.在线框的下方,有一个上、
题目详情
如图所示,由粗细均匀的导电材料做成的单匝矩形线框abcd的电阻为R,线框的质量为m,高度为L、宽度为2L.若线框无初速度地从高处落下,下边保持水平向下平动.在线框的下方,有一个上、下界面都是水平的匀强磁场区,磁场区高度为2L,磁场方向与线框平面垂直.闭合线圈下落后,可匀速进入磁场区.对此,下列说法中正确的是( )
A. 线圈ab边刚进入磁场时,感应电流的方向为a→b→c→d→a
B. 线圈ab边刚进入磁场时,a、b两点间的电压为
C. 线圈在磁场以上,下落的高度为
D. 线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为2mgL
A. 线圈ab边刚进入磁场时,感应电流的方向为a→b→c→d→a
B. 线圈ab边刚进入磁场时,a、b两点间的电压为
2mgR |
3BL |
C. 线圈在磁场以上,下落的高度为
m2gR2 |
32B4L4 |
D. 线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为2mgL
▼优质解答
答案和解析
A、线圈ab边刚进入磁场时,磁通量增加,根据楞次定律判断可知感应电流的方向为a→b→c→d→a.故A正确.
B、由于线圈匀速运动,则有:mg=BI•2L,得 I=
,a、b两点间的电压为外电压,为 U=I•
R=
,故B错误.
C、由I=
,v2=2gh,I=
,解得:h=
,故C正确.
D、由于线框匀速穿过磁场,进入磁场过程产生的电能等于重力势能减少,为mgL,所以线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为mgL.故D错误.
故选:AC
A、线圈ab边刚进入磁场时,磁通量增加,根据楞次定律判断可知感应电流的方向为a→b→c→d→a.故A正确.
B、由于线圈匀速运动,则有:mg=BI•2L,得 I=
mg |
2BL |
2 |
3 |
mgR |
3BL |
C、由I=
B•2Lv |
R |
mg |
2BL |
m2gR2 |
32B4L4 |
D、由于线框匀速穿过磁场,进入磁场过程产生的电能等于重力势能减少,为mgL,所以线圈从开始下落到ab边刚好离开磁场的过程中,电路中产生的电能为mgL.故D错误.
故选:AC
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