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为什么MOS管栅的SiO2层上要形成多晶硅而不是直接覆盖金属
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为什么MOS管栅的SiO2层上要形成多晶硅而不是直接覆盖金属
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最早的CMOS的栅极二氧化硅上覆盖的是金属,栅极先做S/D,S/D退火后才能做栅极（因为Gate是金属,不能承受高温）,栅极和互连的金属线是一起做的,为了保证栅极和S/D能够连接起来,所以设计规定栅极和S/D的重叠部分必须在0....
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