MgO属于宽禁带半导体吗

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MgO属于宽禁带半导体吗

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在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料,把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化锌（ZnO）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)（通常指禁带宽度大于2 .2电子伏特的半导体材料）,也称高温半导体材料.

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