ITO薄膜中的载子流是In2O3提供In还是SnO2提供Sn?掺锡氧化铟（即IndiumTinOxide,简称ITO）材料是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率,In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格

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ITO 薄膜中的载子流是In2O3 提供In 还是SnO2提供Sn?
掺锡氧化铟（即Indium Tin Oxide,简称ITO）材料是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率,In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在,因为In2O3中的In元素是三价,形成SnO2时将贡献一个电子到导带上,同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴,形成1020 至1021cm-3的载流子浓度和10至 30cm2/vs的迁移率.
因为In2O3中的In元素是三价,形成SnO2时将贡献一个电子到导带上,这句话不理解...

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答案和解析

Sn是4价,取代In的位置后会多余一个电子

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