如图所示，位于竖直平面的正方形导线框abcd，边长为L=10cm，线框质量为m=0.1kg，电阻为R=0.5Ω，其下方有一匀强磁场区域，该区域上、下两边界间的距离为H=35cm，磁场的磁感应强度为B=5T，方向

Question

如图所示，位于竖直平面的正方形导线框abcd，边长为L=10cm，线框质量为m=0.1kg，电阻为R=0.5Ω，其下方有一匀强磁场区域，该区域上、下两边界间的距离为H=35cm，磁场的磁感应强度为B=5T，方向与线框平面垂直．让线框从距磁场上边界肛15cm处自由下落，已知在线框dc边进入磁场后到ab边进入磁场前，有一段时间内线框的速度保持不变（g=10m/s²），F列说法正确的是（　　）

A. 线框在其dc边进入磁场到ab边刚进入磁场的过程中，一定先做加速度逐渐减小，速度逐渐增大的直线运动

B. 从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界的过程中，线框速度的最大值是2m/s

C. 从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界的过程中，线框克服安培力做的总功是0.05J

D. 从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场下边界（未出下边界）的过程中，线框所受安培力的最大值为1N

Answer 1

A、当cd边刚进入磁场时，有v²=2gh…①
E=BLv…②
I=(E)/(R)…③
F_A=BIL…④
将数据代入以上①②③④式可得：F_A=0.85N<mg，线框具有向下的加速度，故将继续加速，但随着速度的增大，安培力增大，加速度减小．故A正确．
B、当ab边进入磁场的瞬间，线框处于匀速运动状态，则有：mg=F_A…⑤
此时是cd边刚到达磁场下边界前所受安培力最大，为1N．同时，由②③④⑤四式可知，此时线框的速度为2m/s，当线框全部进入磁场后，线框将继续加速，故cd边刚刚到达磁场下边界时，速度一定大于2m/s．故B错误，D正确．
C、从线框开始下落至ab边刚进入磁场的过程中，对线框运用动能定理，有：mg(h+L)+WA=(1)/(2)mv2，解得：W_A=-0.05J，即克服安培力做功为0.05J．故C正确．
故选：ACD．