Ⅱ．砷化镓为第三代半导体材料，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为．（2）比较二者的第一电离能：AsGa（填“<”、“>”或“=”）；（3）As

Question

Ⅱ．砷化镓为第三代半导体材料，
（1）砷化镓可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反应制得，反应的化学方程式为___．   
（2）比较二者的第一电离能：As___Ga（填“<”、“>”或“=”）；
（3）AsH₃空间构型为___．
已知（CH₃）₃Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是___．

Answer 1

（1）反应物（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH₄，反应的化学方程式为：（（CH₃）₃Ga+AsH₃(700℃.)/()3CH₄+GaAs；
故答案为：（CH₃）₃Ga+AsH₃(700℃.)/()3CH₄+GaAs；
（2）同一周期元素中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第VA族元素第一电离能大于相邻元素，Ga属于第IIIA族、As属于第VA族，所以As的第一电离能比Ga的大；
故答案为：>；
（3）AsH₃分子中As的价层电子对数=3+(1)/(2)（5-3×1）=4，含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp²杂化；
故答案为：三角锥；sp²．