早教吧
育儿知识
作业答案
考试题库
百科
知识分享
创建时间
资源类别
相关度排序
共找到 2 与3Ga和AsH3在700℃下反应制得 相关的结果,耗时21 ms
(2014•湖北模拟)砷化镓为第三代半导体材料,晶胞结构如图所示,(1)砷化镓可由(CH3)
3Ga和AsH3在700℃下反应制得
,反应的化学方程式为(CH3)3Ga+AsH3700℃3CH4+GaAs(CH3)3Ga+AsH3700℃3CH4+
化学
sH3空间构型为______
Ⅱ.砷化镓为第三代半导体材料,(1)砷化镓可由(CH3)
3Ga和AsH3在700℃下反应制得
,反应的化学方程式为.(2)比较二者的第一电离能:AsGa(填“<”、“>”或“=”);(3)As
化学
镓原子的杂化方式是___.
1
>
热门搜索: