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如图(a)所示,ABCD为一足够长的光滑绝缘斜面,EFGH范围内存在方向垂直斜面向上的匀强磁场,磁场边界EF、HG与斜面底边AB平行.一长方形金属框abcd放在斜面上,ab边平行于磁场边界.现使
题目详情
如图(a)所示,ABCD为一足够长的光滑绝缘斜面,EFGH范围内存在方向垂直斜面向上的匀强磁场,磁场边界EF、HG与斜面底边AB平行.一长方形金属框abcd放在斜面上,ab边平行于磁场边界.现使金属框从斜面上某处由静止释放,金属框从开始运动到cd边离开磁场的过程中,其运动的v-t图象如图(b)所示.已知金属框的质量为0.02kg,电阻为0.48Ω,磁感应强度大小为2T,取g=10m/s2,线框在0.1s~0.2s内的位移为0.07m,求:
(1)斜面的倾角θ;
(2)金属框ab边的长度,;
(3)金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热Q?
(1)斜面的倾角θ;
(2)金属框ab边的长度,;
(3)金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热Q?
▼优质解答
答案和解析
线框在进入磁场前只受重力、支持力的作用,线框做匀加速运动;线框进入磁场过程中,受重力、支持力、安培力作用,由图(b)可知,线框做加速度减小的加速运动;完全进入后,安培力为零,线框只受重力、支持力的作用,至离开磁场时,安培力不为零,线框受重力、支持力、安培力作用,做匀速直线运动.
(1)由v-t图象可知,在0~0.1s内金属框的加速度a=
m/s2=5m/s2;
在0~0.1s内金属框沿光滑斜面下滑,由牛顿第二定律得:mgsinθ=ma;
所以,sinθ=
=
=
;所以,θ=30°;
(2)由v-t图象可知,金属框以v=1.2m/s匀速穿出磁场;那么由受力平衡可得:mgsinθ=F安=BIL=
;
所以,L=
=
m=0.1m;
(3)线框在0.1s~0.2s内的位移为0.07m,由题意可知,金属框边长bc为l=0.07m;
对金属框进入匀强磁场的过程应用动能定理,则可得:克服安培力所做的功W1=mglsinθ-(
mv22-
mv12)=0.02×10×0.07×
-
×0.02(0.82-0.52)J=3.1×10-3J;
金属框离开匀强磁场时做匀速直线运动,对金属框离开匀强磁场的过程应用动能定理,则可得:克服安培力所做的功
W2=mglsinθ=7×10-3J;
再有,克服安培力所做的功等于闭合电路产生的热量;所以金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热Q=W1+W1=10.1×10-3J=1.01×10-2J.
答:(1)斜面的倾角θ为30°;
(2)金属框ab边的长度0.1m;
(3)金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热为1.01×10-2J.
(1)由v-t图象可知,在0~0.1s内金属框的加速度a=
0.5-0 |
0.1-0 |
在0~0.1s内金属框沿光滑斜面下滑,由牛顿第二定律得:mgsinθ=ma;
所以,sinθ=
a |
g |
5 |
10 |
1 |
2 |
(2)由v-t图象可知,金属框以v=1.2m/s匀速穿出磁场;那么由受力平衡可得:mgsinθ=F安=BIL=
B2L2v |
R |
所以,L=
|
|
(3)线框在0.1s~0.2s内的位移为0.07m,由题意可知,金属框边长bc为l=0.07m;
对金属框进入匀强磁场的过程应用动能定理,则可得:克服安培力所做的功W1=mglsinθ-(
1 |
2 |
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1 |
2 |
1 |
2 |
金属框离开匀强磁场时做匀速直线运动,对金属框离开匀强磁场的过程应用动能定理,则可得:克服安培力所做的功
W2=mglsinθ=7×10-3J;
再有,克服安培力所做的功等于闭合电路产生的热量;所以金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热Q=W1+W1=10.1×10-3J=1.01×10-2J.
答:(1)斜面的倾角θ为30°;
(2)金属框ab边的长度0.1m;
(3)金属框穿过磁场的过程中产生的焦耳热为1.01×10-2J.
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