早教吧作业答案频道 -->其他-->
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200V）,利用电离碰撞（雪崩
题目详情
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式
雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200 V）,利用电离碰撞（雪崩击穿）效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益.某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术,允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿,从而可获得更大的增益(>1000).一般来说,反向电压越高,增益就越大.
请写出APD倍增因子M的计算公式.
雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200 V）,利用电离碰撞（雪崩击穿）效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益.某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术,允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿,从而可获得更大的增益(>1000).一般来说,反向电压越高,增益就越大.
请写出APD倍增因子M的计算公式.
▼优质解答
答案和解析
APD倍增因子M的计算公式很多,一个常用的公式为 M=1/1-(v/vB)n
式中:n 是由P-N 结材料决定的常数; V B 为理想反向偏压; V 为反向偏压的增加值.对于Si 材料,\x0bn =1.5 4 ;对于Ge 材料n = 2.8 .由式中还可看出,当| V | →\x0b| V B | 时,M → ∞,P-N结将发生雪崩击穿.
式中:n 是由P-N 结材料决定的常数; V B 为理想反向偏压; V 为反向偏压的增加值.对于Si 材料,\x0bn =1.5 4 ;对于Ge 材料n = 2.8 .由式中还可看出,当| V | →\x0b| V B | 时,M → ∞,P-N结将发生雪崩击穿.
看了 雪崩二极管APD倍增因子M的...的网友还看了以下：
两火车相对而开速度为50km/h,距100km,鸟从一辆向另一辆飞去,速度为100km/m,问相碰 2020-04-25 …
甲乙两辆完全一样的小车,质量都为M,乙车内用绳吊一质量为0.5M的小球,当乙车静止时,甲车以速度v 2020-05-17 …
A、B两小球在光滑水平面上沿同一直线向同一方向运动，A球的动量为5kg•m/s，B球的动量为7kg 2020-05-21 …
这里还有一道碰撞的物理大题|}{“?有一小车置于光滑水平面上小车两头系有挡板车长L质量M车上中央处 2020-06-04 …
质量分别为m1和m2的两个小球在光滑的水平面上分别以速度v1、v2同向运动并发生对心碰撞，碰后m2 2020-06-14 …
如图所示，光滑水平面上有大小相同的A、B两球在同一直线上运动．两球质量关系为mB＝2mA，规定向右 2020-06-25 …
现有一原子核静止,用一个动能为E1的中子轰击使之发生裂变,质量亏损为m,碰撞后的总动能为E2,那么 2020-07-01 …
如图所示，质量为M=0.1kg、半径为R=1.0m的质量分布均匀的圆环静止在粗糙的水平桌面上，一质 2020-07-01 …
在光滑的水平桌面上有一质量为M的小球，固定在一倔强系数为k的弹簧上。一质量为m的子弹射入小球，在碰 2020-07-03 …
从高H处由静止释放一球，它在运动过程中受大小不变的阻力f．若小球质量为m，碰地过程中无能量损失，则 2020-07-04 …