早教吧作业答案频道 -->其他-->
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200V）,利用电离碰撞（雪崩
题目详情
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式
雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200 V）,利用电离碰撞（雪崩击穿）效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益.某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术,允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿,从而可获得更大的增益(>1000).一般来说,反向电压越高,增益就越大.
请写出APD倍增因子M的计算公式.
雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器,其原理类似于光电倍增管.在加上一个较高的反向偏置电压後（在硅材料中一般为100-200 V）,利用电离碰撞（雪崩击穿）效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益.某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术,允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿,从而可获得更大的增益(>1000).一般来说,反向电压越高,增益就越大.
请写出APD倍增因子M的计算公式.
▼优质解答
答案和解析
APD倍增因子M的计算公式很多,一个常用的公式为 M=1/1-(v/vB)n
式中:n 是由P-N 结材料决定的常数; V B 为理想反向偏压; V 为反向偏压的增加值.对于Si 材料,\x0bn =1.5 4 ;对于Ge 材料n = 2.8 .由式中还可看出,当| V | →\x0b| V B | 时,M → ∞,P-N结将发生雪崩击穿.
式中:n 是由P-N 结材料决定的常数; V B 为理想反向偏压; V 为反向偏压的增加值.对于Si 材料,\x0bn =1.5 4 ;对于Ge 材料n = 2.8 .由式中还可看出,当| V | →\x0b| V B | 时,M → ∞,P-N结将发生雪崩击穿.
看了 雪崩二极管APD倍增因子M的...的网友还看了以下：
现有八种物质：①干冰；②金刚石；③晶体硫；④晶体硅；⑤过氧化钠；⑥二氧化硅晶体，⑦溴化铵；⑧氖，请 2020-04-09 …
现有九种物质：①干冰；②金刚石；③晶体硫；④晶体硅；⑤过氧化钠；⑥二氧化硅晶体；⑦溴化铵；⑧氖；⑨ 2020-04-09 …
碳化硅的晶体有类似金刚石的结构，其中碳原子和硅原子的位置是交替的．它与晶体硅和金刚石相比较，正确的 2020-04-09 …
现有八种物质：①干冰；②金刚石；③晶体硫；④晶体硅；⑤过氧化钠；⑥二氧化硅晶体；⑦溴化铵；⑧氖，请 2020-04-09 …
现有八种物质：①干冰，②金刚石，③晶体硫，④晶体硅，⑤过氧化钠，⑥二氧化硅晶体，⑦溴化铵，⑧氖。请 2020-04-09 …
氮化硅是一种耐高温陶瓷材料，它的硬度大、熔点高、化学性质稳定。完成下列问题：（1）氮化硅晶体属于晶 2020-04-09 …
从粗硅转变为纯硅的流程中,四氯化硅是一种液体,从含有粗硅的四氯化硅液体中粗硅转化为纯硅：Si（粗） 2020-06-30 …
关于可控硅的特性我有几句话看不懂（请说得通俗一些）可控硅分单向可控硅、双向可控硅.单向可控硅有阳极 2020-07-29 …
1993年，中国科学院研究人员，在常温下以超真空扫描隧道显微镜为手段，通过用探针拨出硅晶体表面的硅原 2020-12-01 …
请问磁学方面的高人,磁通能否在硅钢材料内完全传递.也就是说我现在有一块长方体硅钢,假如我假如利用一个 2020-12-09 …