（2014•湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+GaAs（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+

Question

（2014•湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，
（1）砷化镓可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反应制得，反应的化学方程式为

（CH ₃）₃Ga+AsH₃

700℃

3CH₄+GaAs

（CH ₃）₃Ga+AsH₃

700℃

3CH₄+GaAs

．
（2）AsH₃空间构型为______．已知（CH₃）₃Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是______．
（3）砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为a cm，砷化镓的摩尔质量为b g•mol^-1，阿伏伽德罗常数值为N_A，则砷化镓晶体密度的表达式

(3√(3)b)/(16a3NA)

(3√(3)b)/(16a3NA)

 g•cm^-3．

Answer 1

（1）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4；故答案为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4；（2）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为...