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如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙
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如图甲所示,bacd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ能够始终保持静止,则0~t2时间内,PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图象一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)( )
A.
B.
C.
D.
A.
B.
C.
D.
▼优质解答
答案和解析
在0~t2内,磁场随时间均匀变化,故回路中产生的感应电流大小方向均恒定,所以PQ受到的安培力F=BIL∝B,方向先沿斜面向上,t1时刻之后方向变为沿斜面向下,并且大小逐渐变小,故A项正确,B项错;静摩擦力f=mgsinθ-B...
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